Éxcitons em Estruturas Semiconductoras Artificiais de (GaAs)/(AIAs)

Autores

  • Márcio Daldin Teodoro Universidade Estadual de Londrina
  • Pedro Pablo González-Borrero UNICENTRO
  • Vinícius Mariani Lenart UNICENTRO
  • Ivan Frederico Lupiano Dias UEL
  • Edson Laureto UEL
  • José Leonil Duarte UEL
  • Euclydes Marega Jr. USP

Palavras-chave:

éxcitons, super-redes, fotoluminescência

Resumo

Neste artigo estudamos a influência da direção de crescimento e do número de monocamadas nas propriedades ópticas de super-redes de (GaAs)m/(AlAs)5 com m = 3 ou 5. As direções escolhidas foram a [111]A, [311]A e a [100]. Esta última
foi utilizada como referência. As configurações das ligações químicas do substrato de arseneto de gálio mudam de acordo com a orientação, o que implica em variações nas propriedades ópticas da heteroestrutura crescida. As super-redes foram caracterizadas
através da técnica de Fotoluminescência em função da temperatura e da intensidade de excitação. Da análise, verificou-se que os picos principais dos espectros são
atribuídos a transições indiretas dos éxcitons na direção [100] e [311]A para m=3 ou 5, e [111]A com m=5, assim como as transições com participações de fônons de AlAs na [100] com m=3, e de GaAs para [311]A com m=5. Na [100] com m=5 foi
constatado um aumento na energia de transição excitônica cujo aumento é verificado pela dependência com a temperatura. A superfície [111]A com m=3 apresentou um comportamento anômalo, sendo o pico de maior intensidade deslocado para regiões de menores energias em relação as demais direções.

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Publicado

18-05-2009

Edição

v. 9 n. 1 (2007)

Seção

Artigos

Licença

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